Ad oggi gli SSD hanno superato i tradizionali HDD in tutte le aree. Ad eccezione che per il prezzo elevato, gli SSD o Dischi a Stato Solido sono migliori rispetto agli hard disk in termini di capacità di memorizzazione, velocità di lettura/scrittura , consumo di energia, dissipazione del calore, rumore udibile, dimensioni e vibrazioni.
Ma, alla 10°Conferenza Usenix, recentemente conclusa, un gruppo di ricercatori ha ammesso che forse per gli SSD si prefigura un futuro tetro. Di fronte a circa 500 appassionati di tecnologia, un membro del gruppo di ricercatori, Laura Grupp ha detto che all’aumentare della densità NAND Flash all’interno dei dispositivi SSD, ci sarebbe un aumento del numero di errori di lettura-scrittura dei dati e di latenza. Laura, una studentessa dell’University of California, San Diego ha aggiunto che con gli SSD di nuova generazione con maggiore densità, il costo per gigabyte viene ridotto, ma anche le prestazioni scadono notevolmente.
Con la contrazione della circuiteria dei NAND flash nei modelli SSD futuri, gli SSD saranno in grado di fornire più spazio. Ma, per le loro enormi capacità di archiviazione dei dati e elevati tassi di IOP, quando saranno una scelta interessante per molte applicazioni, ci saranno le applicazioni che ne eviteranno l’utilizzo a causa della loro forte riduzione delle prestazioni. Questo è perchè, il futuro di questa tecnologia è sempre più nuvoloso.
Luara Grupp ha detto ai partecipanti alla conferenza che insieme a John Davis, un ricercatore di Microsoft e Steven Swanson, direttore del Non-Volatile Systems Laboratory dell’UCSD hanno testato 45 differenti chip NAND basato su flash, che variano di dimensioni tra 72 nm a 25 nm. Grupp ha detto che i chip sono stati presi da sei diversi fornitori, tra cui alcuni con la maggior parte delle tecnologie più recenti (25 nm).
Secondo Grupp, dai test è emerso che la velocità di lettura/scrittura varia pesantemente alla variazione della latenza. I loro test rivelano che il tasso di errore varia anche con i differenti tipi di NAND flash degli SSD. A questo proposito, è stato indicato nel Single-level cell (SLC) NAND la migliore prestazione, mentre il degrado delle prestazioni verso la multi-level cell (MLC) e la tripla-level cell (TLC) NAND è risultato essere il peggiore del gruppo.
I Ricercatori hanno fatto un’estrapolazione delle loro statistiche al 2024, quando la circuiteria flash all’interno degli SSD dovrebbe essere delle dimensione di 6,5 nm. Secondo i calcoli, con circuiti Flash di 6,5 nm, il tasso di errore aumenterebbe di almeno tre volte, Grupp ha detto: “Possiamo avere capacità o prestazioni”.
Così, al fine di mantenere i costi sotto controllo e soddisfare la domanda di capacità di archiviazione in aumento, gli SSD devono scendere a compromessi sulle prestazioni, cosa che può essere fatale per la tecnologia, se esce qualcosa di meglio. Ancora più importante, “[La gente] è abituata a lavorare con la tecnologia che continua a essere sempre migliore, ma con NAND flash stiamo arrivando al trade-off dell’evoluzione.” ha detto Grupp.